元器件应用中的Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件——SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封装,在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω,比市场上可供比较的最接近器件减小了13%。 N沟道SiE876DF的目标应用是工业型电源、马达控制电路、用于服务器和路由器的AC/DC电源,以及使用负载点(POL)功率转换的系统,还可以在更高电压的中间总线转换(IBC)设计中用做初级侧开关或次级侧整流。 在这些应用中,低导通电阻的SiE876DF可以产生更低的传导损耗,从而节约能源。除了Trench