模拟技术中的面向OR ing应用的功率MOSFET(Vishay)

日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出三款面向 OR-ing 应用的功率 MOSFET,这些器件具有三种封装选择,可提供最佳的导通电阻性能,凭借这三款器件,公司将有助于提高固定电信网络的效率。 在企业服务器网络中,OR-ing 功能可在主电源出现故障时接通冗余电源,以确保为系统持续供电。由于 MOSFET 承载来自正在运行的电源的整个负载,因此降低这些器件的功耗可极大降低能源成本。 日前推出的这三款 N 通道 MOSFET 具有 20V 漏极到源极与栅极到源极额定值,并且在 SO-8 占位面积中具有低 至 1.6 毫欧的导通电阻规格。与同类竞争器件相比,这