电源技术中的Vishay推出新型功率MOSFET SiR476DP 上传者：zoudong82570 2020-11-17 21:30:04上传 PDF文件 54.44KB 热度 21次 日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件,从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列,对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言,该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。 SiR476DP在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值(FOM),在4.5V时为89.25nC。 与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 zoudong82570 资源：441 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
