模拟技术中的NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品

近日,NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V和-60V)及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中,低漏极电流器件(ID(DC)<50A)中的导通电阻(RDS(ON))为9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封装系列中,额定漏极电流为-100A的器件的导通电阻(RDS(ON))则降至3.7mOhm。 能实现P-沟道功率