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论文研究SiC衬底GaN基蓝光LED理想因子研究 .pdf

上传者: 2020-05-10 23:45:52上传 PDF文件 223.67KB 热度 23次
SiC衬底GaN基蓝光LED理想因子研究,房硕,梁红伟,使用MOCVD系统在6H-SiC衬底上生长了GaN/InGaN量子阱结构蓝光LED外延片。在20mA电流下样品的正向电压为3.5V,中心发光波长为452nm。通过I-V特性
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