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ECRMOPECVD技术制备GaN薄膜研究

上传者: 2020-03-02 08:19:27上传 PDF文件 314.19KB 热度 41次
ECR-MOPECVD技术制备GaN薄膜研究,李赟,陈俊芳,利用氮等离子体阀射光谱和朗谬尔双探针诊断了ECR-MOPECVD装置反应室中轴向与径向的等离子体参数,得到相同气压,不同功率,不同位置�
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