MOCVD生长GaN_Si单晶膜的研究.pdf

获得高质量n的型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVd系统生长GaN:Si单晶膜, 通过优化生长工艺, 获得了电子载流子浓度高达, 迁移率达· 的型 单晶膜并有效地抑制了中由深能级引起的黄带发射, 大大提高带边发光强度。研究结果还表 明随着掺杂量的增大, 单晶膜的电子载流子浓度增加, 迁移率下降, 光双晶衍射峰半高宽增大。 首次报道了随掺量增大, 单晶膜的生长速率显著下降的现象。