气流混合对生长GaN:Si膜性能影响的研究

用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜.通过对样品的光电及结晶性能的分析,研究了气流混合时间不同对GaN:Si膜性质的影响.结果表明:合理的III、V族气流混合对提高GaN:Si膜的光电及结晶性能很重要.III、V族气流混合太早,气流混合时间长,GaN:Si膜的黄带与带边发射强度之比较大,X射线双晶衍射半高宽较宽;III、V族气流混合太晚,尽管可减少预反应,但气流混合不均匀,致使GaN:Si膜的发光性能及结晶性能变差.使用III、V族气流混合适中的反应管B生长,获得了光电及结晶性能良好的GaN:Si单晶膜.