GaN 体单晶的氨热生长及应力调控

摘要: 采用氨热法在碱性条件下生长了 GaN 体单晶,SEM 照片显示晶体表面有大量裂纹。用拉曼光谱测量 GaN 晶体的 E2 ( high) 声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大。通过减小温度梯度、籽晶优选及降温程序优化后,得到了无裂纹的氮化镓晶体,( 002) 和( 102) 的 X 射线摇摆曲线 FWHM 分别为 48 arcsec 和 54 arcsec,显微拉曼光谱表明经过 工艺优化后的晶体应力显著降低,应力的来源主要为生长过程中杂质的引入。