基底温度对直流磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射工艺,使用掺铝氧化锌(AZO)陶瓷靶,在玻璃基底上制备出具有c轴择优取向的AZO透明导电薄膜。运用共焦显微拉曼光谱仪对AZO陶瓷靶的微结构进行了表征,对在不同基底温度下沉积出来的薄膜运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见光分光光度计和四探针测试仪等分别进行了结构和光电特性的表征。结果表明,随着基底温度的升高,AZO薄膜的晶粒逐渐增大,c轴择优取向加强,结晶状况变好;AZO薄膜的吸收边发生蓝移,折射率降低,而薄膜厚度则有所增加,光学禁带宽度增大;AZO薄膜的电阻率降低,但在基底温度达到350 °C后电阻率就趋于稳定。