退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响

研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响, 结果发现:AZO薄膜在600 °C退火后, X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°, 晶体质量得到提升; 600 °C退火后, 薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.841 nm降低至0.738 nm; 400 °C退火后, 薄膜的载流子浓度和迁移率均达到最大值, 分别为1.9×1019 cm-3和4.2 cm2·V-1·s-1, 之后随着退火温度进一步升高, 载流子浓度和迁移率降低; 退火温度由300 °C升高到600 °C过程中薄膜的吸收边先蓝移后红移。