NTGS4111PT1G的技术参数

产品型号:NTGS4111PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4.700通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP-6/-55 ~150描述:-30 V, -4.7A功率MOSFET价格/1片(套):¥2.20