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NTLJS3113PT1G的技术参数

上传者: 2020-12-23 00:30:47上传 PDF文件 26.26KB 热度 5次
产品型号:NTLJS3113PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):40最大漏极电流Id(on)(A):-9.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):DFN-6/-55~150描述:-20V,-9.5A,uCOOLP沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥3.20
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