NTHD4102PT1G的技术参数

产品型号:NTHD4102PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):1源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):64@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P/P沟道封装/温度(°C):ChipFET/-55~150描述:-4.1A, -20V双功率MOSFET价格/1片(套):¥2.90