NTGS3443T1的技术参数
产品型号:NTGS3443T1源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):-通道极性:P沟道封装/温度(°C):6TSOP/-55~150描述:2A,P沟道MOSFET价格/1片(套):¥1.80
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