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NTGS3433T1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 08:56:10上传 PDF文件 25.47KB 热度 3次
产品型号:NTGS3433T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):12源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P封装/温度(°C):TSOP-6/-55~150描述:12V,3.3A,P沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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