1. 首页
  2. 移动开发
  3. iOS
  4. NTGS3441T1G的技术参数

NTGS3441T1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 11:01:57上传 PDF文件 25.77KB 热度 3次
产品型号:NTGS3441T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):2.350通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP-6/-55 ~150描述:1 A, 20 V功率MOSFET价格/1片(套):¥1.90
下载地址
用户评论