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NTGS3446T1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 10:12:59上传 PDF文件 25.8KB 热度 9次
产品型号:NTGS3446T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45最大漏极电流Id(on)(A):5.100通道极性:N沟道封装/温度(°C):TSOP-6/-55 ~150描述:5.1A, 20 V功率MOSFET价格/1片(套):¥2.00
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