晶体和晶圆质量

半导体器件需要高度的晶体完美。但是即使使用了最成熟的技术,完美的晶体还是得不到的。不完美,叫做晶体缺陷,会产生不平均的二氧化硅膜生长、差的外延膜的淀积、晶圆里不均匀的掺杂层及其它问题而导致工艺问题。在完成的器件中,晶体缺陷会引起有害的电流漏出,可能阻止器件在正常电压下工作。有三类重要的晶体缺陷: 1. 点缺陷 2. 位错 3. 原生缺陷 点缺陷 点缺陷的来源有两类。一类来源是由晶体里杂质原子挤压晶体结构引起应力所致;第二类来源称为空位,在这种情况下,有某个原子在晶体结构的位置上缺失了。 空位是一种发生在每一个晶体里的自然现象。不幸的是空位无论在晶体或晶圆加热和冷却都会发生,例如在制造工艺过程中