NTD12N10 1G的技术参数 上传者：sunwei79386 2020-12-13 04:16:52上传 PDF文件 25.43KB 热度 10次 产品型号:NTD12N10-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):165最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-3/-55~175描述:100V,12A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 sunwei79386 资源：450 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
