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NTD4805N 1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 07:14:05上传 PDF文件 25.66KB 热度 8次
产品型号:NTD4805N-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):88通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-3/-55~175描述:30V,88A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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