NTD4805N 1G的技术参数 上传者：东方大白菜 2020-12-13 07:14:05上传 PDF文件 25.66KB 热度 29次 产品型号:NTD4805N-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):88通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-3/-55~175描述:30V,88A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
