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NTD20N06G的技术参数

上传者: 2020-12-13 10:11:12上传 PDF文件 25KB 热度 5次
产品型号:NTD20N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~175描述:60V,20A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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