NTD12N10的技术参数

产品型号:NTD12N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~175描述:12A,100V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥4.20