1. 首页
  2. 数据库
  3. Informix
  4. NTD60N02RT4G的技术参数

NTD60N02RT4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 08:00:10上传 PDF文件 26.01KB 热度 8次
产品型号:NTD60N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500最大漏极电流Id(on)(A):62通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:62A, 25V功率MOSFET价格/1片(套):¥3.10
用户评论