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As grown defects in highly phosphorus doped Czochralski silicon

上传者: 2020-07-17 22:34:20上传 PDF文件 766.41KB 热度 19次
重掺磷直拉硅单晶中的原生缺陷,曾俞衡,马向阳,本文研究了重掺磷直拉硅单晶中的原生缺陷.结果表明,重掺磷直拉硅单晶相对于轻掺磷直拉硅单晶有更高的原生缺陷,这些原生缺陷主要容
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