Oxygen precipitation in heavily phosphorusdoped Czochralski silicon during hight 上传者：serializablemrli 2020-06-02 19:00:11上传 PDF文件 405.74KB 热度 22次 重掺磷直拉硅单晶在高温退火下的氧沉淀行为，曾俞衡，马向阳，本文研究了重掺磷直拉硅单晶中分别形核于磷化硅和氧化硅的氧沉淀在高温1000oC下处理4-256小时的行为。研究发现SiP可以作为氧沉淀的异� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 serializablemrli 资源：851 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
