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Investigation of boron oxygen complex in p type compensated Czochralski silicon

上传者: 2020-07-18 05:25:58上传 PDF文件 448.56KB 热度 25次
p型补偿直拉硅中硼氧复合体的研究,吴以超,余学功,本文研究了p型补偿直拉硅单晶中引起电池光衰减效应的硼氧复合体的性质。通过采用双指数函数拟合的方法,发现硼氧复合体的慢过程�
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