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The structural and optical properties of Be doped GaAs grown by MBE

上传者: 2020-07-19 00:25:13上传 PDF文件 657.44KB 热度 25次
MBE生长的Be掺杂GaAs结构和光学特性研究,贾慧民,魏志鹏,本文报道了分子束外延(MBE)生长的Be掺杂GaAs,通过改变Be掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的GaAs样品。利用原子力显微镜(AFM)和
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