Rapid thermal processing phosphorus gettering of multicrystalline silicon 上传者：qq_34266 2020-07-18 15:20:49上传 PDF文件 885.25KB 热度 29次 多晶硅的快速热处理磷吸杂研究，李晓强，杨德仁，本文利用微波光电导衰减仪和光学显微镜对多晶硅的快速热处理（RTP）磷吸杂进行了研究，发现RTP磷吸杂存在一个最佳吸杂温度900℃。另 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
