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Rapid thermal processing phosphorus gettering of multicrystalline silicon

上传者: 2020-07-18 15:20:49上传 PDF文件 885.25KB 热度 17次
多晶硅的快速热处理磷吸杂研究,李晓强,杨德仁,本文利用微波光电导衰减仪和光学显微镜对多晶硅的快速热处理(RTP)磷吸杂进行了研究,发现RTP磷吸杂存在一个最佳吸杂温度900℃。另
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