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论文研究55nm APF 接触孔刻蚀特征尺寸缩减遇到的挑战 .pdf

上传者: 2020-04-21 16:03:34上传 PDF文件 908.16KB 热度 30次
55nmAPF接触孔刻蚀特征尺寸缩减遇到的挑战,王庆,程秀兰,半导体制造进入65nm及以下节点之后,接触孔刻蚀工艺中通常引入APF作为硬掩模(HardMask)进行接触孔刻蚀来解决单层光阻刻蚀中孔壁不��
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