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论文研究40纳米栅刻蚀关键尺寸Loading的优化与研究 .pdf

上传者: 2020-01-05 19:24:40上传 UNKONW文件 758KB 热度 36次
40纳米栅刻蚀关键尺寸Loading的优化与研究,李全波,程秀兰,栅关键尺寸负载效应(CDLoading)通常用密集区(Dense)和孤立区(Isolation)之间的差值来表示,其值越接近于零,loading越小,一般更有利�
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