1. 首页
  2. 编程语言
  3. 其他
  4. 粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究

粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究

上传者: 2020-04-19 21:44:57上传 PDF文件 371.48KB 热度 20次
粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究,肖渊渊,黄玉音,采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜,薄膜的沉积速度达到40nm/min,比采用传统陶瓷靶�
下载地址
用户评论