论文研究28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究 .pdf 上传者：houguof 2020-03-04 19:25:53上传 PDF文件 680.52KB 热度 42次 28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究，吴天成，程秀兰，随着集成电路工艺的不断发展，芯片的集成度越来越高，需要在一块普通的硅晶圆上集成数以百万计的有源器件（即NMOS晶体管和PMOS晶体� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
