论文研究28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究 .pdf 上传者：houguof 2020-03-04 19:25:53上传 PDF文件 680.52KB 热度 19次 28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究，吴天成，程秀兰，随着集成电路工艺的不断发展，芯片的集成度越来越高，需要在一块普通的硅晶圆上集成数以百万计的有源器件（即NMOS晶体管和PMOS晶体� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 houguof 资源：19592 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
