电接枝技术助力高深宽比TSV 上传者：qq_72295 2020-10-27 20:37:40上传 PDF文件 193.85KB 热度 31次 3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),从而设计出更小尺寸的通孔,以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间,最终改进信号的完整性。事实上,当前传统的TSV生产供应链已落后于ITRS对其的预测。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
