论文研究氮离子注入对栅氧化层击穿的影响 .pdf
氮离子注入对栅氧化层击穿的影响，范呈丰，荣国光，本文介绍了氮植入对超薄栅氧化物[1],[2]的时间相关介质击穿（TDDB）的底层机制研究。据发现，氮植入可以提高TDDB对NMOS的可靠性，同时��
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