离子注入后氧化层BOE腐蚀工艺优化 上传者：locate15173 2020-12-30 11:14:07上传 DOCX文件 73.54KB 热度 11次 摘要:半导体器件制备过程中,SiO2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层,用来避免Si材料本身直接遭 受离子轰击而产生缺陷,牺牲氧化层在注入完成之后,氧化层的性质和结构会发生较大变化,在被腐蚀去除 过程中,腐蚀速率不确定性较大,本文研究了牺牲氧化层的腐蚀工艺选择过程。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 locate15173 资源：1 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
