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热退火对离子注入制备Si纳米晶发光性能的影响

上传者: 2020-06-15 17:02:09上传 PDF文件 884.76KB 热度 20次
热退火对离子注入制备Si纳米晶发光性能的影响,周小东,任峰,本文采用离子注入法将Si离子注入到非晶SiO2介质中,并结合热退火处理制备了Si纳米晶。系统研究了热退火条件对Si纳米晶光致发光(PL)
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