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论文研究 离子注入和退火对3.3V NMOS热载流子注入效应的影响 .pdf

上传者: 2020-07-16 23:28:33上传 PDF文件 279.72KB 热度 21次
离子注入和退火对3.3V NMOS热载流子注入效应的影响,张斌,,在半导体工艺中,在摩尔定律的指导下,器件的关键尺寸不断缩小,以此来不断提升器件的性能,而且为了保持器件性能以及集成性,器
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