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碳化硅氮离子注入模拟研究

上传者: 2020-01-30 05:11:46上传 PDF文件 364.72KB 热度 27次
碳化硅氮离子注入模拟研究,李卓,夏晓川,利用SRIM软件模拟了在不同注入角度、注入能量和注入剂量的条件下,N离子在SiC材料中的分布。根据对模拟结果分析发现,随着注入角度�
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