扩散和离子注入

离散二极管和晶体管能在晶体生长的时候在硅ingot里形成结而生产出来。假设硅ingot开始的时候是P型晶体。经过短暂的生长后,通过加入控制量的磷melt被反向掺杂。继续的晶体生长会产生一个嵌入ingot的PN结。连续的反掺杂能在晶体里产生多个结,这样就能生产grown-junction晶体管。集成电路不能生长出来,因为没办法在不同的wafer区生产不同的掺杂区。即使生产简单的grown-junction晶体管都很困难,因为grown junction的厚度和planarity很难控制。每个反掺杂也提升了总的掺杂浓度。硅的一些特性(比如少数载流子lifetime)和总掺杂浓度有关,而不是超过另一