通过MOCVD在GaAs衬底上制备150nm T Gate变质AlInAs / GaInAs HEMTs

摘要—通过引入金属-有机化学气相沉积技术,并采用有效的多级缓冲方案,已经开发出了栅极长度为150 nm,具有非常好的器件性能的亚型AlInAs / GaInAs高电子迁移率晶体管(HEMT)。 通过结合使用光学和电子束光刻技术,已实现了亚微米mHEMT器件。 该器件具有良好的直流和射频性能。 这最大跨导为1074 mS / mm。 非合金欧姆接触电阻Rc低至0.02Ω·mm。 单位电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)分别为279 GHz和231 GHz。 该器件具有150nm栅极长度HEMT的最高fT。 同样,在该器件中获得的输入电容与栅漏反馈电容之比Cgs / Cgd为3.2。