通过金属有机化学气相沉积法在GaAs衬底上制备160 nm T栅极变质AlInAs / GaInAs HEMT

报道了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在GaAs衬底上生长的160 nm栅长变质AlInAs / GaInAs高电子迁移率晶体管(mHEMT)的制造和性能。 通过使用新颖的光学和电子束光刻技术,已经实现了亚微米mHEMTs器件。 这些器件表现出良好的DC和RF性能。 最大电流密度为817 mA / mm,最大跨导为828 mS / mm。 非合金欧姆接触电阻R(c)低至0.02Ω-mm。 单位电流增益截止频率(f(T))和最大振荡频率(f(max))分别为146 GHz和189 GHz。 对于通过MOCVD生长的160纳米栅长HEMT,该器件具有最高的f(T)。 输出电导为28.9 mS / mm,这导致28.6的大电压增益。 而且,在该器件中获得了4.3的输入电容与栅极-漏极反馈电容之比Cgs / Cgd。