Lg=100 nm T shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with non planar source/d 上传者：u79849 2021-02-28 19:01:43上传 PDF文件 1.87MB 热度 37次 Lg=100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with non-planar source/drain regrowth of highly-doped n+-GaN layer by MOCVD 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
