通过MOCVD在硅衬底上的变质AlInAs / GaInAs HEMT

通过在n型硅衬底上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的变质Al(0.50)In(0.50)As / Ga(0.47)In(0.53)As高电子迁移率晶体管(mHEMT),并引入了新型的多阶段缓冲堆栈方案是第一次被制造出来。 实现了1.0微米的栅极长度耗尽型mHEMT,最大跨导高达613 mS / mm。 单位电流增益截止频率(f(T))和最大振荡频率(f(max))分别为36.9 GHz和55.6 GHz。 对于通过MOCVD在硅上生长的1.0微米m栅长的HEMT,该器件具有最高的f(T)。 而且,该性能可与类似的基于GaAs的mHEMT媲美。 这些令人鼓舞的初步结果导致了通过MOCVD在硅基板上进行逻辑应用的集成高速变质器件的制造潜力。