掺锌GaN / AlGaN量子阱中的施主杂质态:量子限制和激光修饰效应

在有效质量近似的框架内,已对变化的激光场对共混锌(ZB)GaN / AlGaN量子阱(QW)中基态供体结合能的影响进行了研究。 数值结果表明,ZB GaN / AlGaN QW中的施主结合能高度依赖于QW结构参数和Al组成。 激光场效应对阱宽度小且Al含量低的QW内部杂质的施主结合能具有更大的影响。 但是,对于位于QW阱边缘附近的杂质,在ZB GaN / AlGaN QW中,施主结合能对Al组成,阱宽度和激光场强度的变化不敏感。 特别是,本文还研究了激光场与量子约束对杂质态的竞争作用。