掺锌InGaN / GaN不对称耦合量子点中的浅施主杂质:电场的影响

考虑到施加到左侧(与生长方向相反)的电场的影响,我们已经进行了圆柱形Zbl InGaN / GaN非对称耦合量子点(QDs)中浅施主杂质态的理论计算。 数值结果表明,ZB InGaN / GaN非对称耦合QD中的施主结合能高度依赖于杂质位置,非对称耦合QD结构参数和电场。 在电场的存在下,如果左点的高度从零开始增加,则位于中间势垒层内部的杂质的施主结合能为最大值。 如果右点从零开始增加,则位于右点内部的杂质的施主结合能具有最大值。 还发现,对于位于右点中心的杂质,当电场较大时,供体结合能对电场不敏感;当电场较大时,供体结合能对电场不敏感。 但是,如果右点较宽,则临界电场较小。 尤其是,数值结果表明,如果右点较宽,则在电场的影响下,非对称耦合的QD更容易解耦。