GaN / AlGaN耦合量子点中的电子和杂质态:电场和静水压力的影响

在有效质量近似的基础上,考虑到电场的综合影响,对位于共混锌(ZB)GaN / AlGaN对称耦合量子点(SCQD)表面的杂质的基态施主结合能进行了变化研究右边(沿着生长方向)和静水压力。 数值结果表明,如果中间势垒宽度较大,则杂质位于左点内,施主结合能对ZB GaN / AlGaN SCQD的中间势垒宽度不敏感。 静水压力增加了任何电场和杂质位置的供体结合能。 此外,静水压力对位于左点内的杂质的供体结合能具有显着影响。 此外,还详细研究了电场与静水压力(电场与量子约束之间)对ZB GaN / AlGaN SCQD中施主杂质态的竞争作用,这对于理解杂质可能非常有趣。半导体纳米结构中的态。