纤锌矿GaN / AlGaN量子阱中的势垒宽度和内置电场对氢杂质的影响

基于有效质量近似,通过变分方法研究了栅栏宽度和内建电场对纤锌矿(WZ)GaN / AlGaN量子阱(QW)中氢杂质的施主结合能的影响。 数值结果表明,随着WZ GaN / AlGaN QW势垒宽度的增加,阱层内部的内置电场强度增加,然后保持恒定。 而且,对于任何杂质情况,在具有较大势垒宽度的QW中,供体结合能对势垒宽度的变化都不敏感。 另外,还可以发现,当Al组成增加时,对于位于QW的右侧内部的杂质,施主结合能增加。 但是,对于位于QW中心和左侧的杂质,供体的结合能会略有下降。