阱厚度变化的绿色发光InGaN / GaN多量子阱中的定位效应

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长具有不同阱厚度的绿色发光InGaN / GaN多量子阱(MQW)结构。 通过依赖于温度的光致发光(PL)测量来研究这些样品中的定位效应。 观察到PL峰值能量随温度升高的S形变化,由此通过使用带尾模型定量地确定了局部化作用的程度。 发现在薄阱MQW中,与成分有关的深局域化状态占主导地位,而在厚阱MQW中,由InGaN阱厚度的波动引起的浅局域化态占主导地位。 可以认为,在较薄的井中,提高的发射效率可能部分源于较强的定位效应。