在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统

Name: 在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统
Rating: 4.5 (49 reviews)
Author: qq_24597

上传者：qq_24597 2020-07-20 06:16:27上传 PDF文件 190.75KB 热度 49次

在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统，雷双瑛，，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程的方法研究了AlGaN/GaN双量子阱中的子带间跃迁。发现AlGaN/GaN双量子阱中通过加外电场或者调节双量子

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

在对称AlGaN GaN双量子阱中实现四能级系统

在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统，雷双瑛，，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程的方法研...

大小：191KB | 2020-07-20 06:16:27
InGaN GaN非对称多量子阱中的施主杂质

InGaN / GaN非对称多量子阱中的施主杂质

大小：299KB | 2021-03-27 01:04:58
掺锌GaN AlGaN量子阱中的施主杂质态量子限制和激光修饰效应

在有效质量近似的框架内,已对变化的激光场对共混锌(ZB)GaN / AlGaN量子阱(QW)中基态供...

大小：128KB | 2021-04-21 17:55:23
激光场和电场对掺锌GaN AlGaN量子阱中杂质态的影响

基于有效质量近似,在ZB GaN / AlGaN量子阱(QW)中以可变方式研究了激光场和外加电场对杂...

大小：227KB | 2021-02-25 01:04:27
四能级系统中的双光子过程

光泵远红外激光一般只能提供分立的频谱.这一特点使它的应用受到一定的限制。1977年以来,不少学者对如...

大小：5.21MB | 2021-04-07 08:55:48
非对称耦合量子阱Zn

采用反射式二次谐波产生方法对非对称II-VI族耦合量子阱Zn1-xCdxSe/ZnSe的非线性光学特...

大小：104KB | 2021-02-22 11:48:19
体纤锌矿型AlGaN中的双模横向光学声子对AlGaN GaN量子阱中电子迁移率的影响

体纤锌矿型AlGaN中的双模横向光学声子对AlGaN / GaN量子阱中电子迁移率的影响

大小：1.88MB | 2021-04-19 14:47:55
纤锌矿GaN AlGaN量子阱中的势垒宽度和内置电场对氢杂质的影响

基于有效质量近似,通过变分方法研究了栅栏宽度和内建电场对纤锌矿(WZ)GaN / AlGaN量子阱(...

大小：273KB | 2021-03-16 21:11:59
纤锌矿InGaN GaN量子阱中的激子光学吸收

纤锌矿InGaN / GaN量子阱中的激子光学吸收

大小：524KB | 2021-05-01 02:49:35
不对称双量子阱中电子布居转移的相干控制研究

采用龙格-库塔算法对激光与半导体双量子阱系统相互作用的密度矩阵方程进行数值求解,研究了不对称半导体双...

大小：2.78MB | 2021-02-08 11:14:59
阱厚度变化的绿色发光InGaN GaN多量子阱中的定位效应

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长具有不同阱厚度的绿色发光InGaN / GaN多量子阱(M...

大小：256KB | 2021-04-25 17:09:42
自组织GaN小岛的InGaN GaN量子阱白光发射

成功地控制了自组织三维GaN小岛的外延生长,在其上面可形成多个非极性小面侧壁。以此作为一个理想的基底...

大小：2.69MB | 2021-04-17 17:21:06
无意掺杂的GaN缓冲层中的陷阱能级对优化的p GaN栅极AlGaN GaN HEMT的影响

无意掺杂的GaN缓冲层中的陷阱能级对优化的p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的影响

大小：1.25MB | 2021-03-20 07:46:23
GaAs Al_xGa_1x As非对称耦合双量子阱中的激子态

GaAs/Al_xGa_(1-x)As非对称耦合双量子阱中的激子态

大小：384KB | 2021-04-07 07:03:30
可控制光学双阱实验及非对称双阱的应用

根据用相位板产生可控制光学双阱的实验方案,制作了具有不同相位差的相位板,测量了不同相位差相位板衍射光...

大小：1.57MB | 2021-02-22 11:48:15
量子阱数量变化对InGaN AlGaN LED的影响

采用软件理论分析的方法分析了InGaN/AlGaN量子阱数量变化对发光二极管内量子效率、电子空穴浓度...

大小：1.19MB | 2021-05-02 15:16:09